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GB/T 6617-1995   硅片电阻率测定 扩展电阻探针法 (英文)
标准编号: GB/T 6617-1995 标准状态:superseded 订阅状态变动提醒
翻译语言:英文 实施日期:1995-1-2
标准编号: GB/T 6617-1995
中文名称: 硅片电阻率测定 扩展电阻探针法
英文名称: Test method for measuring resistivity of silicon wafers using spreading resistance probe
中标分类: H21    金属物理性能试验方法
行业分类: GB    国家标准
发布机构: 国家技术监督局
发布日期: 1995-04-18
实施日期: 1995-1-2
标准状态: superseded
被新标准替代:GB/T 6617-2009 硅片电阻率测定 扩展电阻探针法
被替代日期:2010-6-1
替代旧标准:GB 6617-1986
翻译语言: 英文
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