GB/T 41751-2022 英文版, GB/T 41751-2022 氮化镓单晶衬底片晶面曲率半径测试方法 - GB/T 41751-2022, GB 41751-2022, GBT 41751-2022, GB/T41751-2022, GB/T 41751, GB/T41751, GB41751-2022, GB 41751, GB41751, GBT41751-2022, GBT 41751, GBT41751

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GB/T 41751-2022 氮化镓单晶衬底片晶面曲率半径测试方法 (英文)
标准编号:	GB/T 41751-2022	标准状态:	valid 订阅状态变动提醒电子邮箱:
翻译语言:	英文	实施日期:	2023-2-1

标准编号:	GB/T 41751-2022
中文名称:	氮化镓单晶衬底片晶面曲率半径测试方法
英文名称:	Test method for radius of curvature of crystal plane in GaN single crystal substrate wafers
中标分类:	H21 金属物理性能试验方法
行业分类:	GB 国家标准
ICS分类:	77.040 77.040 金属材料试验 77.040
发布机构:	国家市场监督管理总局国家标准化管理委员会
发布日期:	2022-10-12
实施日期:	2023-2-1
标准状态:	valid
翻译语言:	英文

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