标准编号:	GB/T 6616-2009
中文名称:	半导体硅片电阻率及硅薄膜薄层电阻测试方法 非接触涡流法
英文名称:	Test methods for measuring resistivity of semiconductor wafers or sheet resistance of semiconductor films with a noncontact eddy-current gauge
中标分类:	H80    半金属与半导体材料综合
行业分类:	GB    国家标准
ICS分类:	29.045 29.045    半导体材料 29.045
发布机构:	中华人民共和国国家质量监督检验检疫总局 中国国家标准化管理委员会
发布日期:	2009-10-30
实施日期:	2010-6-1
标准状态:	superseded
被新标准替代:	GB/T 6616-2023 半导体晶片电阻率及半导体薄膜薄层电阻的测试 非接触涡流法
被替代日期:	2024-3-1
替代旧标准:	GB/T 6616-1995 半导体硅片电阻率及硅薄膜薄层电阻测定 非接触涡流法
翻译语言:	英文

本标准规定了用非接触涡流测定半导体硅片电阻率和薄膜薄层电阻的方法。
本标准适用于测量直径或边长大于25mm、厚度为0.1mm~1mm 的硅单晶切割片、研磨片和抛光片的电阻率及硅薄膜的薄层电阻。测量薄膜薄层电阻时,衬底的有效薄层电阻至少应为薄膜薄层电阻的1000倍。