SJ 20013-1992 英文版, SJ 20013-1992 半导体分立器件ＧＰ、ＧＴ和ＧＣＴ级ＣＳ１０型硅Ｎ沟道耗尽型场效应晶体管详细规范 - SJ 20013-1992, SJ/T 20013-1992, SJT 20013-1992, SJ20013-1992, SJ 20013, SJ20013, SJ/T20013-1992, SJ/T 20013, SJ/T20013, SJT20013-1992, SJT 20013, SJT20013

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SJ 20013-1992 半导体分立器件ＧＰ、ＧＴ和ＧＣＴ级ＣＳ１０型硅Ｎ沟道耗尽型场效应晶体管详细规范 (英文)
标准编号:	SJ 20013-1992	标准状态:	valid 订阅状态变动提醒电子邮箱:
翻译语言:	英文	实施日期:	1992-5-1

标准编号:	SJ 20013-1992
中文名称:	半导体分立器件ＧＰ、ＧＴ和ＧＣＴ级ＣＳ１０型硅Ｎ沟道耗尽型场效应晶体管详细规范
英文名称:	Semiconductor discrete device. Detail specification for silicon N-channel depletion mode field-effect transistor of types CS10 GP, GT and GCT classes
中标分类:	A01 技术管理
行业分类:	SJ 电子行业标准
发布机构:	中国电子工业总公司
发布日期:	1992-02-01
实施日期:	1992-5-1
标准状态:	valid
翻译语言:	英文

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