标准编号:	GB/T 14146-2009
中文名称:	硅外延层载流子浓度测定 汞探针电容-电压法
英文名称:	Silicon epitaxial layers-determination of carrier concentration-mercury probe voltages-capacitance method
中标分类:	H80    半金属与半导体材料综合
行业分类:	GB    国家标准
ICS分类:	29.045 29.045    半导体材料 29.045
发布机构:	中华人民共和国国家质量监督检验检疫总局 中国家标准化管理委员会
发布日期:	2009-10-30
实施日期:	2010-6-1
标准状态:	superseded
被新标准替代:	GB/T 14146-2021 硅外延层载流子浓度的测试 电容-电压法
被替代日期:	2021-12-1
替代旧标准:	GB/T 14146-1993 硅外延层载流子浓度测定 汞探针电容--电压法
翻译语言:	英文

本标准规定了硅外延层载流子浓度汞探针电容电压测量方法。
本标准适用于同质的硅外延层载流子浓度测量。测量范围为:4×1013cm-3~8×1016cm-3。
本标准测试的硅外延层的厚度必须大于测试偏压下耗尽层的深度。
本标准也可适用于硅抛光片的载流子浓度测量。