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| GB/T 46567.1-2025 |
智能计算 忆阻器测试方法 第1部分：基础特性 |
1120.0 |
付款后 1~3 个工作日 |
valid,,2025-10-31 |
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| GB/T 45722-2025 |
半导体器件 恒流电迁移试验 |
1260.0 |
付款后 1~3 个工作日 |
valid,,2025-9-1 |
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| GB/T 45721.1-2025 |
半导体器件 应力迁移试验 第1部分：铜应力迁移试验 |
2030.0 |
付款后 1~5 个工作日 |
valid,,2025-9-1 |
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| GB/T 45718-2025 |
半导体器件 内部金属层间的时间相关介电击穿（TDDB）试验 |
1470.0 |
付款后 1~5 个工作日 |
valid,,2025-9-1 |
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| GB/T 45719-2025 |
半导体器件 金属氧化物半导体（MOS） 晶体管的热载流子试验 |
1260.0 |
付款后 1~3 个工作日 |
valid,,2025-9-1 |
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| GB/T 45716-2025 |
半导体器件 金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFETs）的偏置温度不稳定性试验 |
1260.0 |
付款后 1~3 个工作日 |
valid,,2025-9-1 |
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| T/CASAS 044-2024 |
碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管（SiC MOSFETs）高压高温高湿反偏试验方法 |
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付款后 个工作日 |
valid,,2024-11-19 |
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| T/CASAS 045-2024 |
碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管（SiC MOSFET）动态栅偏试验方法 |
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付款后 个工作日 |
valid,,2024-11-19 |
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| T/CASAS 043-2024 |
碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管（SiC MOSFET）高温反偏试验方法 |
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付款后 个工作日 |
valid,,2024-11-19 |
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| T/CASAS 046-2024 |
碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管（SiC MOSFET）动态反偏(DRB)试验方法 |
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付款后 个工作日 |
valid,,2024-11-19 |
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| T/CASAS 042-2024 |
碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管（SiC MOSFETs）高温栅偏试验方法 |
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付款后 个工作日 |
valid,,2024-11-19 |
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| T/CASAS 033-2024 |
碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管 (SiC MOSFET)功率器件开关动态测试方法 |
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付款后 个工作日 |
valid,,2024-11-19 |
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| T/CASAS 021-2024 |
碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管(SiC MOSFE阈值电压测试方法 |
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付款后 个工作日 |
valid,,2024-11-19 |
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| DB32/T 4894-2024 |
微机电系统半导体气体传感器性能检测方法 |
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付款后 个工作日 |
valid,,2024-12-7 |
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| GB 4938-1985 |
半导体分立器件接收和可靠性 |
490.0 |
付款后 1~3 个工作日 |
valid,,1985-11-1 |
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| GB/T 4937.35-2024 |
半导体器件 机械和气候试验方法 第35部分：塑封电子元器件的声学显微镜检查 |
1540.0 |
付款后 1~3 个工作日 |
valid,,2024-7-1 |
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| GB/T 4937.34-2024 |
半导体器件 机械和气候试验方法 第34部分：功率循环 |
980.0 |
付款后 1~3 个工作日 |
valid,,2024-7-1 |
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| ZB N 05005-1988 |
霍尔件通用技术条件 |
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付款后 个工作日 |
superseded,2000-1-1,1989-7-1 |
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| T/CIE 145-2022 |
辐射诱生缺陷的深能级瞬态谱测试方法 |
1050.0 |
付款后 1~3 个工作日 |
valid,, |
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| GB/T 4587-2023 |
半导体器件 分立器件 第7部分：双极型晶体管 |
5950.0 |
付款后 1~5 个工作日 |
valid,,2024-4-1 |
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