SJ 58119/2-2018 英文版, SJ 58119/2-2018 半导体光电子器件 GD3562T型铟镓砷光电二极管详细规范 - SJ 58119/2-2018, SJT 58119/2-2018, SJT 581192-2018, SJ58119/2-2018, SJ 58119/2, SJ58119/2, SJT58119/2-2018, SJT 58119/2, SJT58119/2, SJT581192-2018, SJT 581192, SJT581192

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SJ 58119/2-2018 半导体光电子器件 GD3562T型铟镓砷光电二极管详细规范 (英文)
标准编号:	SJ 58119/2-2018	标准状态:	valid 订阅状态变动提醒电子邮箱:
翻译语言:	英文	实施日期:	2018-5-1

标准编号:	SJ 58119/2-2018
中文名称:	半导体光电子器件 GD3562T型铟镓砷光电二极管详细规范
英文名称:	Semiconductor optoelectronic devices Detail specifceation for InGaAs photodiode of GD3562T
行业分类:	SJ 电子行业标准
发布日期:	2018-01-18
实施日期:	2018-5-1
标准状态:	valid
翻译语言:	英文

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