SJ 2658.1-1986 英文版, SJ 2658.1-1986 半导体红外发光二极管测试方法总则 - SJ 2658.1-1986, SJ/T 2658.1-1986, SJT 2658.1-1986, SJ2658.1-1986, SJ 2658.1, SJ2658.1, SJ/T2658.1-1986, SJ/T 2658.1, SJ/T2658.1, SJT2658.1-1986, SJT 2658.1, SJT2658.1

中标分类行业分类 ICS分类最新标准

SJ 2658.1-1986 半导体红外发光二极管测试方法总则 (英文)
标准编号:	SJ 2658.1-1986	标准状态:	superseded 订阅状态变动提醒电子邮箱:
翻译语言:	英文	实施日期:	1986-10-1

标准编号:	SJ 2658.1-1986
中文名称:	半导体红外发光二极管测试方法总则
英文名称:	Methods of Measurement for Semiconductor Infrared Diodes - General Rules
中标分类:	L53 半导体发光器件
行业分类:	SJ 电子行业标准
实施日期:	1986-10-1
标准状态:	superseded
被新标准替代:	SJ/T 2658.1-2015 半导体红外发射二极管测量方法第1部分：总则
被替代日期:	2016-4-1
作废日期:	2016-04-01
翻译语言:	英文

联系我们

电话:	15101092118
邮箱:	bz@bzfyw.com
QQ:	3675947207
微信:

微信联系客服(限外文翻译服务)

关于我们 | 联系我们

电话：15101092118 | Email: bz@bzfyw.com |

QQ: 3675947207

本页关键词：

SJ 2658.1-1986, SJ/T 2658.1-1986, SJT 2658.1-1986, SJ2658.1-1986, SJ 2658.1, SJ2658.1, SJ/T2658.1-1986, SJ/T 2658.1, SJ/T2658.1, SJT2658.1-1986, SJT 2658.1, SJT2658.1