标准编号:	GB/T 14145-1993
中文名称:	硅外延层堆垛层错密度测定干涉相衬显微镜法
英文名称:	Test method for stacking fault density of epitaxial layers of silicon by interference contrast microscopy
中标分类:	H24    金相检验方法
行业分类:	GB    国家标准
发布机构:	国家技术监督局
发布日期:	1993-02-06
实施日期:	1993-10-1
标准状态:	abolished
作废日期:	2005-10-14
翻译语言:	英文
文件格式:	PDF
中文字符数:	4000 字
翻译价格(元):	500.0
交付时间:	付款后 1~3 个工作日

本标准规定了使用干涉相衬显微镜非破坏性测量硅外延层堆垛层错密度的方法。本标准适用于硅外延层厚度不小于3μm、外延层晶向偏离｛111｝晶面或｛100｝晶面角度较小的试样的堆垛层错密度测量。当堆垛层错密度超过15000cm-2或当外延层晶向与｛111｝晶面或｛100｝晶面偏离角度较大时，测量精度将有所降低。