标准编号:	GB/T 11073-2025
中文名称:	硅片径向电阻率变化测量方法
英文名称:	Test method for measuring radial resistivity variation on silicon wafers
中标分类:	H17    半金属及半导体材料分析方法
行业分类:	GB    国家标准
ICS分类:	77.040 77.040    金属材料试验 77.040
发布机构:	国家市场监督管理总局 国家标准化管理委员会
发布日期:	2025-10-31
实施日期:	2026-5-1
标准状态:	to be valid
替代旧标准:	GB/T 11073-2007 硅片径向电阻率变化的测量方法
翻译语言:	英文

本文件描述了用直排四探针法测量硅单晶片径向电阻率变化的方法。
本文件适用于厚度小于探针平均间距、直径大于15 mm、室温电阻率在3×10-4 Ω·cm～1.8×104 Ω·cm的p型硅单晶片及室温电阻率在6×10-3 Ω·cm～1×105 Ω·cm的n型硅单晶片的径向电阻率变化的测量。硅单晶片其他范围电阻率的测量参照本文件进行。