标准编号:	T/IAWBS 003-2017
中文名称:	碳化硅外延层载流子浓度测定 汞探针电容-电压法
行业分类:	T/    团体标准
发布机构:	中关村天合宽禁带半导体技术创新联盟
发布日期:	2017-12-20
实施日期:	2017-12-31
标准状态:	现行
翻译语言:	英文
文件格式:	PDF
中文字符数:	11000 字
翻译价格(元):	660.00 元
交付时间:	付款后 1~3 个工作日

本标准规定了碳化硅（4H-SiC）外延层载流子浓度的测定方法─汞探针电容－电压法。　 本标准适用于单层同质碳化硅外延层载流子浓度的测量，要求测量的碳化硅外延层厚度必须大于测试偏压下耗尽层的宽度。 本标准也可适用于碳化硅衬底载流子浓度的测量。