标准编号:	SJ/T 10482-1994
中文名称:	半导体中深能级的瞬态电容测试方法
英文名称:	Test method for characterizing semiconductor deep levels by transient capacitance techniques
中标分类:	F01    技术管理
行业分类:	SJ    电子行业标准
发布机构:	机械电子工业部
发布日期:	1994-04-11
实施日期:	1994-10-1
标准状态:	valid
翻译语言:	英文
文件格式:	PDF
中文字符数:	5000 字
翻译价格(元):	600.0
交付时间:	付款后 1~3 个工作日

本标准规定了用瞬态电容技术中的深能级瞬态谱(DLTS)法测量半导体材料中深能级的测试方法。
本标准适用于测量硅、砷化稼等半导体材料中杂质、缺陷在半导体禁带中产生的深能级。
由此法可得到深能级的激活能、浓度、指数前因子A等参数。本标准适用于产生指数形式电
容瞬态有关的深能级。