标准编号:	SJ 20016-1992
中文名称:	半导体分立器件 ＧＰ、ＧＴ和ＧＣＴ级３ＤＧ１８２型ＮＰＮ硅小功率高反压晶体管详细规范
英文名称:	Semiconductor discrete device. Detail specification for PNP silicon low-power high-reverse-voltage transistor for types 3DG182 GP, GT and types GCT classes
中标分类:	A01    技术管理
行业分类:	SJ    电子行业标准
发布机构:	中国电子工业总公司
发布日期:	1992-02-01
实施日期:	1992-5-1
标准状态:	valid
翻译语言:	英文

本规范规定了3DG130型NPN硅高频小功率晶体管(以下简称器件)的详细要求。该种器件按GJB33-85《半导体分立器件总规范》的规定，提供产品保证的三个等级(GP、GT和GCT级)。