标准编号:	GB/T 14847-2025
中文名称:	重掺杂衬底上轻掺杂硅外延层厚度的测试 红外反射法
英文名称:	Test method for thickness of lightly doped silicon epitaxial layers on heavily doped silicon substrates - Infrared reflectance method
中标分类:	H21    金属物理性能试验方法
行业分类:	GB    国家标准
ICS分类:	77.040 77.040    金属材料试验 77.040
发布机构:	国家市场监督管理总局 国家标准化管理委员会
发布日期:	2025-10-31
实施日期:	2026-5-1
标准状态:	to be valid
替代旧标准:	GB/T 14847-2010 重掺杂衬底上轻掺杂硅外延层厚度的红外反射测量方法
翻译语言:	英文
文件格式:	PDF

本文件描述了红外反射法测试重掺杂衬底上轻掺杂硅外延层厚度的方法。
本文件适用于电阻率为0.000 6 Ω·cm～0.025 Ω·cm的衬底上制备的厚度大于0.5 μm的硅外延层厚度的测试。