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| GB/T 4937.44-2025 |
半导体器件 机械和气候试验方法 第44部分：半导体器件的中子辐照单粒子效应（SEE）试验方法 |
1190.0 |
付款后 1~3 个工作日 |
to be valid,,2026-7-1 |
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| GB/T 4937.33-2025 |
半导体器件 机械和气候试验方法 第33部分：加速耐湿 无偏置高压蒸煮 |
770.0 |
付款后 1~3 个工作日 |
to be valid,,2026-7-1 |
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| GB/T 4937.38-2025 |
半导体器件 机械和气候试验方法 第38部分：带存储的半导体器件的软错误试验方法 |
1050.0 |
付款后 1~3 个工作日 |
to be valid,,2026-7-1 |
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| GB/T 4937.36-2025 |
半导体器件 机械和气候试验方法 第36部分：稳态加速度 |
770.0 |
付款后 1~3 个工作日 |
to be valid,,2026-7-1 |
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| GB/T 4937.16-2025 |
半导体器件 机械和气候试验方法 第16部分：粒子碰撞噪声检测（PIND） |
1260.0 |
付款后 1~3 个工作日 |
to be valid,,2026-5-1 |
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| GB/T 46567.1-2025 |
智能计算 忆阻器测试方法 第1部分：基础特性 |
1120.0 |
付款后 1~3 个工作日 |
valid,,2025-10-31 |
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| GB/T 45720-2025 |
半导体器件 栅介质层的时间相关介电击穿（TDDB）试验 |
1750.0 |
付款后 1~5 个工作日 |
valid,,2025-9-1 |
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| GB/T 45721.1-2025 |
半导体器件 应力迁移试验 第1部分：铜应力迁移试验 |
2030.0 |
付款后 1~5 个工作日 |
valid,,2025-9-1 |
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| GB/T 45722-2025 |
半导体器件 恒流电迁移试验 |
1260.0 |
付款后 1~3 个工作日 |
valid,,2025-9-1 |
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| GB/T 45719-2025 |
半导体器件 金属氧化物半导体（MOS） 晶体管的热载流子试验 |
1260.0 |
付款后 1~3 个工作日 |
valid,,2025-9-1 |
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| GB/T 45718-2025 |
半导体器件 内部金属层间的时间相关介电击穿（TDDB）试验 |
1470.0 |
付款后 1~5 个工作日 |
valid,,2025-9-1 |
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| GB/T 45716-2025 |
半导体器件 金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFETs）的偏置温度不稳定性试验 |
1260.0 |
付款后 1~3 个工作日 |
valid,,2025-9-1 |
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| GB/T 44849-2024 |
微机电系统（MEMS）技术 金属膜材料成形极限测量方法 |
1750.0 |
付款后 1~5 个工作日 |
valid,,2025-5-1 |
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| GB/T 44517-2024 |
微机电系统（MEMS）技术 MEMS膜残余应力的晶圆曲率和悬臂梁挠度试验方法 |
1260.0 |
付款后 1~3 个工作日 |
valid,,2025-4-1 |
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| GB/T 44839-2024 |
微机电系统（MEMS）技术 MEMS材料微柱压缩试验方法 |
1260.0 |
付款后 1~3 个工作日 |
valid,,2025-2-1 |
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| GB/T 44513-2024 |
微机电系统（MEMS）技术 传感器用MEMS压电薄膜的环境试验方法 |
1470.0 |
付款后 1~5 个工作日 |
valid,,2025-1-1 |
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| GB/T 44515-2024 |
微机电系统（MEMS）技术 MEMS压电薄膜机电转换特性测量方法 |
1470.0 |
付款后 1~5 个工作日 |
valid,,2025-1-1 |
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| DB32/T 4894-2024 |
微机电系统半导体气体传感器性能检测方法 |
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付款后 个工作日 |
valid,,2024-12-7 |
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| T/CASAS 044-2024 |
碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管（SiC MOSFETs）高压高温高湿反偏试验方法 |
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付款后 个工作日 |
valid,,2024-11-19 |
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| T/CASAS 045-2024 |
碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管（SiC MOSFET）动态栅偏试验方法 |
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付款后 个工作日 |
valid,,2024-11-19 |
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